Συνδυαστική μνήμη από την Intel

Στα πλαίσια του IDF στην Ταϊβάν που διεξάγεται αυτές τις μέρες, η Intel παρουσίασε μια νέα τεχνολογία αποθηκευτικού μέσου για υπολογιστές που ονομάζεται Robson και βασίζεται στη χρήση μνήμης NAND, προερχόμενη από τη Samsung και την Toshiba.
Η μνήμη που υλοποιείται σε μικρές κάρτες χωρητικότητας 64MB έως 4GB (τουλάχιστον σε αυτή τη φάση καθώς σύντομα αναμένεται οι χωρητικότητες να αυξηθούν σημαντικά), λειτουργεί συνδυαστικά με το σκληρό δίσκο προκειμένου να επιτευχθεί ταχύτατο caching του swap file, αλλά και εγκατάσταση και λειτουργία των εφαρμογών απευθείας από τη συστοιχία μνήμης NAND.
Η δημιουργία αυτού του ιδιότυπου “silicon drive” ασφαλώς δεν είναι καινούρια ιδέα, αρκεί να υπενθυμίσουμε την πρόσφατη κυκλοφορία αντίστοιχης λύσης από τη Gigabyte (iRAM), η οποία αποτελείται από μια κάρτα PCI πάνω στην οποία τοποθετούνται κοινά DIMMS μνήμης DDR για τη δημιουργία ενός silicon drive που “μιλάει” με τον υπολογιστή μέσω του διαύλου Serial ATA.
Σημειώνουμε ότι η χρήση μνήμης (“solid state”) και όχι μαγνητο-μηχανικού μέσου όπως ο σκληρός δίσκος μπορεί να μειώσει την ταχύτητα πρόσβασης και εν γένει λειτουργίας του υποσυστήματος αποθήκευσης από 10 έως 60 φορές.

Αφήστε το σχόλιο σας στο "Συνδυαστική μνήμη από την Intel"

Σχολιάστε