Καινούργιες μνήμες …

… από την Samsung, -=1-gigabit DDR2 DRAM=-, οι οποίες είναι κατασκευασμένες με τεχνολογία 50 nanometer και βασίζονται σε τρισδιάστατο σχεδιασμό και πολυ-επίπεδη διηλεκτρική τεχνολογία. Η καινούργια τεχνολογία και τα ειδικά υλικά που χρησιμοποιήθηκαν [multilevel dielectric layer {με χημική σύνθεση ZrO2/Al2O3/ZrO2}] βοηθούν σε 2 επίπεδα: από τη μια θα έχουμε μικρότερη έκλειση θερμότητας και μεγαλύτερες επιδόσεις και από την άλλη θα μπορέσει να υπάρξει μεγαλύτερη δυνατότητα αποθήκευσης επομένως και μεγαλύτερες μνήμες. Επίσης έχουμε πλέον και μια νέα τεχνολογία: RCAT (Recess Channel Array Transistor) που δίνει τη δυνατότητα κατασκευής μνημών με διπλάσιο refresh rate που μελλοντικά θα δώσει μνήμες με μεγαλύτερη ταχύτητα. Οι μνήμες αναμένονται στην αγορά κατά το 2008…

ΠΗΓΗ: http://www.eetimes.com/news/latest/showArticle.jhtml;jsessionid=5BKNRZTSEHF4IQSNDLPSKHSCJUNN2JVN?articleID=193400578

http://cybereddie.blogspot.com

Be the first to comment on "Καινούργιες μνήμες …"

Leave a comment